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Electronic sputtering of oxides by high energy heavy ion impact

高エネルギー重イオンによる酸化物の電子スパッタリング

松波 紀明*; 左高 正雄; 岩瀬 彰宏

Matsunami, Noriaki*; Sataka, Masao; Iwase, Akihiro

原研タンデム加速器からの高エネルギー重イオンを酸化物に照射し、電子励起によるスパッタリング収量を測定した。照射試料はSrCeO$$_{3}$$とSiO$$_{2}$$を用いた。スパッタリング収量は炭素薄膜法を用いて測定した。スパッタリング収量は弾性散乱カスケードによる計算値と比べて、どちらの試料も約1000倍大きいことがわかった。また、収量は電子的阻止能Seに対してSe$$^{n}$$の形で表せ、$$n$$は2-3であることがわかった。

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