シングルイベントMBU解析に向けたタンデム加速器の利用

Application of a Tandem accelerator to the investigation of MBU mechanisms

森 英喜*; 平尾 敏雄; Laird, J. S.; 小野田 忍*; Lee, K. K.; 阿部 浩之; 伊藤 久義; 岡本 毅*; 小泉 義晴*

Mori, Hidenobu*; Hirao, Toshio; Laird, J. S.; Onoda, Shinobu*; Lee, K. K.; Abe, Hiroshi; Ito, Hisayoshi; Okamoto, Tsuyoshi*; Koizumi, Yoshiharu*

宇宙環境で使用される集積回路素子では、1個のイオン入射で多数のメモリ内容が同時に反転するマルチブルアップセット(MBU)現象の発生が大きな問題となっている。このMBU発生パターンは、入射粒子の角度に依存することが実験で示されている。われわれはこの入射角度依存性究明を目的として、高崎研タンデム加速器に接続されている重イオンマイクロビームのシングルイオンヒット装置とTIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)システムを用い、入射イオン1個でpn接合ダイオードに誘起される過渡電流波形の計測を行った。その結果、イオンの入射角度の増加に伴いダイオード電極に収集される電荷量が増加することさらにその増加が1/cosに比例することを見いだした。

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