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Influence of O$$_{2}$$ incident energy for initial sticking probability and product SiO desorption rate on Si(001) surfaces

Si(001)表面上での初期吸着確率と生成物SiOの脱離速度に与えるO$$_{2}$$入射エネルギーの影響

寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

Si(001)表面とO$$_{2}$$分子の表面反応においては、室温でO$$_{2}$$分子の解離吸着が起こり表面が酸化される(パッシブ酸化)。一方、表面温度がおおむね700$$^{circ}C$$以上では酸化反応生成物としてSiO分子が熱脱離して表面に酸素は残らない。今回はO$$_{2}$$分子の初期吸着確率の入射エネルギー依存性とSiO脱離速度の入射エネルギー及び表面温度依存性を測定した。前者は酸素カバレッジのup-take曲線の一次微分から求めた。後者の実験には同位体$$^{18}$$O$$_{2}$$を用いてSi$$^{18}$$O(m/e=46)を検出することによりCO$$_{2}$$バックグラウンドの影響のない高精度の測定ができた。これらにより初期吸着確率が0.3eVに極小点を持つことやSiO生成温度の下限が入射エネルギーに依存するなどの新しい知見を得た。初期吸着には前駆体経由過程と直接解離過程があることが見いだされた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01)

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.341 - 344

発行年月

 :

2001/11

発表会議名

 :

3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01)

開催年月

 :

2001/11

開催都市

 :

Nara

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

O$$_{2}$$; Si(001); SiO; Incident Energy; Initial Sticking Probability

特許データ

 :

PDF

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広報プレスリリース

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