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超音速O$$_{2}$$分子線を用いたSi(001)表面の初期酸化過程; 清浄表面と部分酸化表面での酸化反応機構の相違点

Initial oxidation prosesses of Si(001) surfaces by supersonic O$$_{2}$$ molecular beams; Different oxidation mechanisms for clean and partially-oxidized surfaces

寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

超音速分子線技術を用いてO$$_{2}$$分子の運動エネルギーを3eVまで加速し、Si(001)表面の初期酸化過程を研究している。Si(001)表面にO$$_{2}$$分子線を数秒間照射し、表面酸素量を光電子分光で計ることを繰り返してO$$_{2}$$吸着の時間変化をいろいろな運動エネルギーのもとで計測した。吸着曲線の一次微分から初期吸着確率(相対値)を求めた。その運動エネルギー依存性には0.3eVに極小が見いだされた。0.04eVから0.3eVまでは運動エネルギーの増加とともに初期吸着確率は減少した。これは前駆体経由で吸着が進むことを表している。一方、0.3eV以上では増加した。これは直接的な吸着を表している。

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