translational kinetic energy for Si(001) initial oxidation並進運動エネルギーの影響を関する光電子分光研究Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka
O超音速分子線を用いてSi(001)表面り初期酸化に対するO分子の並進運動エネルギーの影響を実験的に研究している。これまでに残留HO分子の再吸着で形成された部分酸化Si(001)表面の酸化で1.0eVと2.6eVに並進運動エネルギーしきい値が見いだされ、Si-2p,O-1s光電子スペクトルにもそれに対応した変化が見いだされていた。今回は清浄Si(001)面での同様の実験結果を報告する。この場合、しきい値は観測されない。Si-2p光電子スペクトルでは1eV以下であってもSi
まで酸化が進行することがわかった。つまり清浄Si(001)面では1eV以下でもダイマーのバックボンドまでO原子が拡散するため、そこでの直接的な解離吸着が抑制されると思われる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 507-510 |
号 |
: | 1-3 |
ページ数 |
: | p.797 - 802 |
発行年月 |
: | 2002/06 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2001/09 |
開催都市 |
: | Krakow |
開催国 |
: | Poland |
キーワード |
: | Si(001); Oxidation; Photoemission; O |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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