and electron irradiation線照射によるSiフォトダイオードの特性劣化に及ぼす格子欠陥の影響大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍*; 高見 保清*; 伊藤 久義
Oyama, Hidenori*; Hirao, Toshio; Simoen, E.*; Claeys, C.*; Onoda, Shinobu*; Takami, Yasukiyo*; Ito, Hisayoshi
シリコン(Si)のPIN型フォトダイオードの高温線照射による劣化を評価した。試験試料はSiフォトダイオードで、抵抗率が2~4K
であり、厚さ0.3mmのカバーガラス窓をもつTO-18パッケージに収められている。線照射にはCo-60線源を使用し、照射量は最大1
107rad(Si),照射中の試料温度は20
,100,200とした。照射前後のデバイス特性とDLTS測定を行い、照射による特性劣化と導入欠陥との相互関係について検討した。照射後のDLTS測定の結果、n形シリコン基板に導入された2種類の電子捕獲準位(Ec-0.22eV)及び(Ec-0.40eV)と1種類の正孔捕獲準位(EV+0.37eV)が検出された。一方、デバイス特性については、線照射により暗電流は減少し、光電流は増加する傾向が得られた。これらの特性変化をDLTS測定で得られた欠陥準位に関連付けて議論する。
no abstracts in English
発表言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 308-310 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1226 - 1229 |
発行年月 |
: | 2001/12 |
発表会議名 |
: | 21st International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-21) |
開催年月 |
: | 2001/07 |
開催都市 |
: | Giessen |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：78.79 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
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