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Measurement of the chemical sputtering yields of CH$$_{4}$$/CD$$_{4}$$ and C$$_{2}$$H$$_{x}$$/C$$_{2}$$D$$_{x}$$ at the carbon divertor plates of JT-60U

JT-60Uの炭素材ダイバータ板におけるCH$$_{4}$$/CD$$_{4}$$及びC$$_{2}$$H$$_{x}$$/C$$_{2}$$D$$_{x}$$の化学スパッタリング率測定

仲野 友英; 久保 博孝; 東島 智; 朝倉 伸幸; 竹永 秀信; 杉江 達夫; 伊丹 潔

Nakano, Tomohide; Kubo, Hirotaka; Higashijima, Satoru; Asakura, Nobuyuki; Takenaga, Hidenobu; Sugie, Tatsuo; Itami, Kiyoshi

JT-60Uの炭素材ダイバータ板におけるCH$$_{4}$$,CD$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{x}$$及びC$$_{2}$$D$$_{x}$$の化学スパッタリング率を測定した。CH$$_{4}$$,CD$$_{4}$$,C$$_{2}$$H$$_{x}$$及びC$$_{2}$$D$$_{x}$$分子の発生量を求めるためにCH,CD及びC$$_{2}$$分子からのバンド光を分光測定した。ダイバータ板への水素イオン束に対する炭化水素分子発生量で定義される化学スパッタリング率は、ダイバータ板の表面温度が約360,420及び540Kにおいて、CH$$_{4}$$については約1%,1-2%及び2-3%,C$$_{2}$$H$$_{x}$$については約2%,4%及び7%であった。ダイバータ板への水素イオン束が増加すると、水素イオン束の-0.15~-0.33乗に比例して化学スパッタリング率は減少した。いずれの分子種及び表面温度においても、重水素イオンによる化学スパッタリング率は、軽水素イオンによる化学スパッタリング率の約1.2倍であった。C$$_{2}$$H$$_{x}$$及びC$$_{2}$$D$$_{x}$$が起源の炭素原子数は、化学スパッタリングで発生した炭素原子数の約80%を占めることがわかった。

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パーセンタイル:79.09

分野:Physics, Fluids & Plasmas

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