Bubble formation with electron irradiation in SiC implanted with hydrogen or deuterium

水素又は重水素を注入したSiC中の電子線照射によるバブル形成

相原 純 ; 北條 喜一; 古野 茂実*; 石原 正博 

Aihara, Jun; Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi*; Ishihara, Masahiro

水素又は重水素を注入したSiCを120kV又は200kV電子線照射すると、イオン注入直後にはほとんどバブルが観察されなくてもバブルが生成し成長することが観察された。試料として-SiC薄膜を用い、イオン注入及び電子線照射は、イオン加速器と連結した透過型電子顕微鏡内で室温で行った。イオン注入後、試料の非晶質化は起こったがバブルははっきり確認することができなかった。電子線照射を行うと、バブル生成及び粗大化が観察される場合もあった。バブル粗大化が起こる場合には試料厚さ依存性が観察された。また、バブル粗大化はHを注入した場合の方がDを注入した場合よりも起こりやすかった。また、バブル粗大化の電子線エネルギー依存性ははっきりと確認することはできなかった。また、電子線フラックス依存性は実験を行った範囲ではみられなかった。

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