Sekiguchi, Tetsuhiro; Sekiguchi, Hiromi*; Baba, Yuji
シリコン(Si)半導体上における簡単な炭化水素分子の表面科学反応はSiC薄膜生成などの応用面からの要請も相俟って活発に進められている。本研究においては室温及び低温(93K)のSi基板上にアセトン((CH
)
CO)を吸着させた系について放射光からの軟X線を励起光源として起こる解離反応を調べた。アセトンは放射光の励起エネルギーを変えることにより、分子中の(-CH3とC=Oの)二種類の炭素原子を選択して内殻励起することができると考えられている。放射光照射により生じるイオン脱離生成物を四重極質量分析により検出した。単分子~約50分子吸着層についてフラグメント収量の励起光エネルギー依存性を測定した。実験結果としてはメチル基(CH)の炭素が内殻励起された場合のみ、CH
(n=0-3)イオンが顕著に生成することがわかった。この結果はこの共鳴励起でC-C結合が特に顕著に切断されていることを示唆している。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 454-456 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.363 - 368 |
発行年月 |
: | 2000/05 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1999/08 |
開催都市 |
: | Vienna |
開催国 |
: | Austria |
キーワード |
: | 表面光化学反応(Surface Photochemistry); 光刺激脱離(Photon Stimulated Desorption); 吸着量依存性(Layer-thickness Dependence); 内殻電子励起(Inner-shell Excitation); (CH |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：72.46 分野：Chemistry, Physical |
Altmetrics |
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