Vacancies and deep levels in electron-irradiated 6 SiC epilayers studied by positron annihilation and deep level transient spectroscopy

陽電子消滅及びDLTS法による6H SiC中の電子線照射欠陥の研究

河裾厚男; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; Frank, T.*; Weidner, M.*; Pensl, G.*; Sperr, P.*; 伊藤久義

Kawasuso, Atsuo; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; Frank, T.*; Weidner, M.*; Pensl, G.*; Sperr, P.*; Ito, Hisayoshi

2MeV電子線照射したn型6H SiCエピ膜中の格子欠陥のアニール挙動を陽電子消滅及びDLTS測定によって研究した。原子空孔型欠陥は、500-700 $^{circ}C$ 及び1200-1400 $^{circ}C$ でアニールされることが見いだされた。内殻電子運動量分布の解析から、後者のアニール過程は、シリコン空孔を含む複合欠陥に起因していることが明らかになった。観測された電子準位のうち、E $_{1/2}$ 準位のみが、1000 $^{circ}C$ 以上において、上記の原子空孔と同様のアニール挙動を示すことが明らかになった。これより、E $_{1/2}$ 準位は、シリコン空孔を含む複合欠陥に起源をもつと結論できる。

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発表言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Applied Physics
巻	:	90
号	:	7
ページ数	:	p.3377 - 3382
発行年月	:	2001/10
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
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キーワード	:	陽電子消滅; 陽電子ビーム; SiC; 原子空孔; DLTS; 電子線照射

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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.1402144
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登録番号 : A20010427
抄録集掲載番号 : 300162
論文投稿番号 : 18749

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