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Radiation-induced defects in 4H- and 6H-SiC epilayers studies by positron annihilation and deep-level transient spectroscopy

陽電子消滅及びDLTSによる4H-及び6H-SiCエピ膜中の照射欠陥の研究

河裾 厚男; Weidner, M.*; Redmann, F.*; Frank, T.*; Krause-Rehberg, R.*; Pensl, G.*; Sperr, P.*; Triftsh$"a$user, W.*; 伊藤 久義

Kawasuso, Atsuo; Weidner, M.*; Redmann, F.*; Frank, T.*; Krause-Rehberg, R.*; Pensl, G.*; Sperr, P.*; Triftsh$"a$user, W.*; Ito, Hisayoshi

2MeVの電子線照射を行った4H及び6H SiCエピ膜について、陽電子ビームによる陽電子消滅測定及びDLTS測定を行い、高温で残留する深準位を同定した。電子線照射直後には、多くの電子準位が存在することがわかった。これらの多くは、1000$$^{circ}C$$までのアニールで消失し、その後E$$_{1/2}$$(6H-SiC)とZ$$_{1/2}$$(4H SiC)が残留することが見いだされた。これらは、負の電子相関を持つ特殊な電子準位である。また、最終的に1200~1500$$^{circ}C$$のアニールで消失することが明らかになった。一方、陽電子消滅測定の結果、シリコン空孔に起因する複合欠陥が検出され、これが、上述の電子準位と同一の温度域で消失することがわかった。以上より、E$$_{1/2}$$(6H-SiC)とZ$$_{1/2}$$(4H SiC)準位は、何れもシリコン空孔を伴う複合欠陥であると結論できる。

no abstracts in English

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