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Production of endohedral $$^{133}$$Xe-fullerene by ion implantation

イオン注入による$$^{133}$$Xe内包フラーレンの生成

渡辺 智; 石岡 典子; 関根 俊明; 長 明彦  ; 小泉 光生 ; 下村 晴彦*; 吉川 広輔*; 村松 久和*

Watanabe, Satoshi; Ishioka, Noriko; Sekine, Toshiaki; Osa, Akihiko; Koizumi, Mitsuo; Shimomura, Haruhiko*; Yoshikawa, K.*; Muramatsu, Hisakazu*

イオン注入法による放射性原子内包フラーレンの生成の可能性を調べることを目的として、内包原子として$$^{133}$$Xeを用い、イオン注入法による$$^{133}$$Xe内包フラーレンの生成を行った。Ni基盤上に蒸着したC$$_{60}$$またはC$$_{70}$$をターゲットとし、同位体分離器により$$^{133}$$Xeを40keVでイオン注入した。照射後のターゲットをo-ジクロロベンゼンに溶解した後、HPLCカラムに通し、溶出液中のC$$_{60}$$またはC$$_{70}$$をUV検出器で、$$^{133}$$Xeの放射能をGe検出器でそれぞれ測定した。得られた溶離曲線に、$$^{133}$$XeとC$$_{60}$$またはC$$_{70}$$とのピークの強い相関が見られたことから、$$^{133}$$Xe内包フラーレンが生成していると結論付けた。また、$$^{133}$$Xeピークにテーリングが見られた。このテーリングは、空のフラーレンからの$$^{133}$$Xe内包フラーレンの単離の可能性を示した。

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分野:Chemistry, Analytical

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