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イオンビームスパッタリング法による高配向$$beta$$-FeSi$$_{2}$$の作製

Fabrication of highly oriented $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ by ion beam sputter deposition

仲野谷 孝充  ; 笹瀬 雅人*; 山本 博之; 斉藤 健; 北條 喜一

Nakanoya, Takamitsu; Sasase, Masato*; Yamamoto, Hiroyuki; Saito, Takeru; Hojo, Kiichi

イオンビームスパッタリング法を用いて、次世代化合物半導体として期待の高い$$beta$$-FeSi$$_{2}$$のエピタキシャル成長薄膜の作製を試みた。最適な作製条件を決定するため、Fe蒸着中のSi基板の温度及び、蒸着するFeの量を変化させて実験を行った。形成されたシリサイド薄膜の結晶性と表面の形状はそれぞれ、X線回折法と走査型電子顕微鏡にて評価した。結果、Fe蒸着量33mn,Si基板温度700$$^{circ}C$$で$$beta$$-FeSi$$_{2}$$のエピタキシャル性の良好な薄膜作製に成功した。一方、700$$^{circ}C$$以上では高温相である$$beta$$-FeSi$$_{2}$$が形成され、温度の上昇に伴い増加した。さらに基板温度を固定して蒸着量を変化させた実験から、$$alpha$$相の生成は基板温度だけでなく、Feの蒸着量にも大きく依存することを明らかにした。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

真空

巻

 :

45

号

 :

1

ページ数

 :

p.26 - 31

発行年月

 :

2002/01

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

鉄シリサイド; $$beta$$-FeSi$$_{2}$$; 薄膜; エピタキシャル; 環境半導体; イオンビームスパッタ; 低温成長

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.3131/jvsj.45.26

研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

広報プレスリリース

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