Epitaxial growth of rutile films on Si(100) substrates by thermal oxidation of evaporated titanium films in argon flux

アルゴンガス中でのチタン金属薄膜の熱酸化によるSi(100)上へのルチル薄膜のエピタキシャル成長

Dai, Z.*; Naramoto, Hiroshi; Narumi, Kazumasa; Yamamoto, Shunya

真空蒸着法により、Si(100)基板上にTi金属薄膜を形成後、Arガスで置換したO $_{2}$ 希薄ガス雰囲気で熱処理を行い、Si(100)上にTiO $_{2}$ ルチル結晶がエピタキシャルに成長する条件を調べた。X線回折法及びイオンチャネリング法等で結晶学的解析を行った結果、TiO $_{2}$ とSi基板とは、TiO $_{2}$ (100)//Si(100), TiO $_{2}$ (110)//Si(110)の関係にあることを見いだした。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Physics; Condensed Matter
巻	:	11
号	:	43
ページ数	:	p.8511 - 8516
発行年月	:	1999/11
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Rutile; Hetero-epitaxial Growth; Oxidation; Ti Film; Si(100)

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/43/314
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：54.6 分野：Physics, Condensed Matter
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登録番号 : A19990274
抄録集掲載番号 : 280247
論文投稿番号 : 17254

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