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Coverage of the Cd underpotential deposited layer formed on an Au(111) substrate; Effect of the electrolytic condition

Au(111)基板上に形成されたCd UPD層の被覆率に対する電解条件の影響

河村 博行; 高橋 正光; 水木 純一郎

Kawamura, Hiroyuki; Takahashi, Masamitsu; Mizuki, Junichiro

硫酸系電解液中でアンダーポテンシャル析出によりAu(111)基板上に形成されたCd層の面間構造をspecular X-ray reflectivity測定により調べた。1mM CdSO$$_{4}$$+10mM H$$_{2}$$SO$$_{4}$$、及び1mM CdSO$$_{4}$$+100mM H$$_{2}$$SO$$_{4}$$溶液中で1st UPD,2nd UPD電位にて形成されるCd UPD層に対して測定を行った。いずれの場合も、再配列構造に類似したAu(111)表面にCd原子層が位置し、さらにそのCd原子層の上に硫酸アニオン層が位置していることが明らかになった。従来の報告例とは異なり、Cd UPD層の被覆率はUPD電位には依らず、H$$_{2}$$SO$$_{4}$$濃度に依存している。Cd原子の被覆率は、H$$_{2}$$SO$$_{4}$$濃度が10mMから100mMに増加すると、0.5MLから0.6MLに増加している。また、硫酸アニオンの被覆率はCd原子の被覆率の約半分となっている。

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分野:Electrochemistry

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