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Stress evolution during epitaxial growth of SrO films on hydrogen-terminated Si(111) surfaces

水素終端Si(111)面上のSrOエピタキシャル薄膜成長過程における内部応力変化

朝岡 秀人  ; 町田 ユスト; 山本 博之; 北條 喜一; 斉木 幸一朗*; 小間 篤*

Asaoka, Hidehito; Machida, Yusuto; Yamamoto, Hiroyuki; Hojo, Kiichi; Saiki, Koichiro*; Koma, Atsushi*

Si半導体表面のダングリングボンドに水素終端を行い不活性化した基板上に、面心立法構造のSr金属をエピタキシャル成長させ、酸化処理を行うことによりNaCl構造のエピタキシャルSrO酸化物薄膜を作製した。SiとSrとの格子不整合は12.0%と大きくこれまで良質な薄膜が得られなかったが、不活性化したSi基板面を用いることによって弱い相互作用で物質間結合がなされ格子不整合度による成長物質の制約が緩和されることから良質な金属薄膜の成長が可能となる。1原子層目のSr格子間隔はSi基板表面からの相互作用で圧縮されるが、膜厚の増加とともにSr固有の格子間隔での成長が進行する。膜成長時にレーザービームを用いた基板曲率測定を行った結果、水素終端Si基板上への薄膜は水素終端を行わなかったSi基板と比較し、内部応力が大幅に緩和され、数原子層目から内部応力の存在しない薄膜が成長したことが確認された。また金属成長と酸化過程において薄膜が圧縮応力を受けていた環境から、一転して引張応力へと変化し物質間の格子の大小関係から薄膜内応力の制御が可能であることを示した。

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分野:Physics, Condensed Matter

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