分子のSi(001)表面への初期吸着とSiO脱離に及ぼす運動エネルギーの影響 molecules on Si(001) surfaces and SiO desorption yieldTeraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka
O分子のSi(001)表面での初期吸着確率を室温で並進運動エネルギー3.0eVまで測定した。また、
O分子とSi(001)表面の反応で脱離するSiO分子の収率を900Kから1300Kの範囲で代表的な並進運動エネルギー(0.7eV,2.2eV,3.3eV)で測定した。初期吸着確率は0.3eVで極小となり1eV以上では一定値を示したが、SiO脱離収率は1000K以上では並進運動エネルギーに依存して増加した。これはシリコン二量体の架橋位置とサブサーフェイスのバックボンドほの直接的な解離吸着によると解釈された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 23 |
号 |
: | 8 |
ページ数 |
: | p.519 - 523 |
発行年月 |
: | 2002/08 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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