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A development of 1 kHz, 50A, 100 kV IGBT switch with 420A breaking current capacity

フラットトップ60Aの1kHz開閉が可能なDC-100kV,360A遮断の直流IGBT遮断器の開発

恒岡 まさき; 今井 剛; 中山 伸好*; 飯山 俊光*

Tsuneoka, Masaki; Imai, Tsuyoshi; Nakayama, Nobuyoshi*; Iiyama, Toshimitsu*

本レターは核融合用ジャイロトロンの出力を変調運転するために、-100kV電源の電流をスイッチングすることのできる直流遮断器に関するものである。また、スイッチングによる変調と同時にジャイロトロンの管内アーク発生時に、10Joule以下の許容エネルギーで負荷であるジャイロトロンを保護できる能力を併せ持つものである。ここでは100素子のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)素子を直列にして直流-100kV,60Aの遮断器を構成した。さらに実験結果として短絡遮断器試験の結果及び500KJouleのダミー抵抗器を用いてduty1%で1kHzのスイッチング試験を10秒間実施し、遮断器に異常がなかったことを報告した。

no abstracts in English

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