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Surface chemical states and oxidation resistivity of "ecologically friendly" semiconductor ($$beta$$-FeSi$$_{2}$$) thin films

「環境半導体」$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の表面化学状態と耐酸化性

斉藤 健; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 仲野谷 孝充  ; 山口 憲司; 原口 雅晴*; 北條 喜一

Saito, Takeru; Yamamoto, Hiroyuki; Sasase, Masato*; Nakanoya, Takamitsu; Yamaguchi, Kenji; Haraguchi, Masaharu*; Hojo, Kiichi

イオンビームスパッタ蒸着法を用いて「環境半導体」$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜をSi(100)基板上に作製した。この過程において、生成したFeSi$$_{2}$$薄膜がSiや他の化合物半導体に比べ大気中においても極めて安定で、強い耐酸化性を有していることを見いだした。この原因を明らかにするために、当研究グループにおいて開発した放射光-光電子分光法による非破壊深さ分析法を用い、薄膜の表面化学状態及び組成について検討した。この結果、FeSi$$_{2}$$薄膜(厚さ100nm)表面に0.7nm程度と考えられる極めて薄いSiO$$_{2}$$層が生成していることを明らかにした。このSiO$$_{2}$$層はFeSi$$_{2}$$上に均一に成長しており、3ヶ月間大気中に放置した後においてもほとんど変化が見られない。熱化学的評価からFeSi$$_{2}$$自体は大気中で室温においても酸化が進むと考えられる。このため生成したFeSi$$_{2}$$薄膜が安定であることは最表面の均一なSiO$$_{2}$$層が耐酸化性に寄与していると考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Thin Solid Films

巻

 :

415

号

 :

1-2

ページ数

 :

p.138 - 142

発行年月

 :

2002/08

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

環境半導体; 鉄シリサイド; 耐酸化性; 薄膜; 表面; 化学状態

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00555-2

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

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- Accesses

InCites™

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パーセンタイル：67.09

分野：Materials Science, Multidisciplinary

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