Observation of transient current induced in silicon carbide diodes by ion irradiation

イオン照射により炭化ケイ素ダイオードに発生する過渡電流観察

大島 武; Lee, K. K.; 小野田 忍; 神谷 富裕; 及川 将一*; Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 伊藤 久義

Oshima, Takeshi; Lee, K. K.; Onoda, Shinobu; Kamiya, Tomihiro; Oikawa, Masakazu*; Laird, J. S.; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi

炭化ケイ素(SiC)半導体のシングルイベント耐性評価の一環として、pn接合ダイオードを試作しMeV級イオン照射により発生する過渡電流測定を行った。SiCダイオードのベースはn型エピタキシャル6H-SiCであり、800でのAl注入後1800での熱処理を行うことで表面層にp型領域を形成した。12MeVニッケルイオンマイクロビームを用いてSiCダイオードの過渡イオンビーム誘起電流(TIBIC)測定を行い、過渡電流波形を取得した。これよりダイオード電極への収集電荷量を解析した結果、印加電圧が30Vでは(1.7-1.8)10Q程度と見積もられた。また、この結果より収集効率を求めると85から93%が得られた。

Ion beam induced current for pn SiC diode was observed by using MeV range ion beams.The diodes used in this study were pn diode fabricated on n-type epitaxial 6H-SiC. The p region was formed using Al-ion implantation at 800 C and subsequent annealing at 1800 C. The value of charge collection for diode applied to 30V by 12MeV-Ni microbeam irradiationis estimated to be (1.7-1.8)10Q from the analyzing transient-IBIC measurement.The efficiency of the charge collection is 85-93%.