磯谷 順一*; 大島 武; 大井 暁彦; 森下 憲雄; 伊藤 久義
Isoya, Junichi*; Oshima, Takeshi; Oi, Akihiko; Morishita, Norio; Ito, Hisayoshi
イオン注入により炭化ケイ素(SiC)半導体に導入したリン(P)ドナー不純物の電気的活性化に伴うP原子の格子間位置への置換や注入欠陥除去などの微視的構造変化を明らかにするため、9
21MeV(9段階)または340keVのエネルギーでP注入を行ったn型六方晶SiC(6H-SiC)のESR測定を実施した。P注入は室温、800
または1200で行い、注入後にアルゴン中で最高温度1650まで熱処理を行った。注入後熱処理を行うことでP原子がSiC格子点に配置してドナーとなり、ドナー電子と
Pの超微細相互作用により2本に分裂したESRスペクトルが出現することを見出した。現在、スペクトル解析によりPドナーの構造対称性や電子スピン状態の検討を進めている。本会議ではPドナーの微視的構造の解析結果に加え、照射欠陥のアニール挙動についても報告する。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 206 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.965 - 968 |
発行年月 |
: | 2003/05 |
発表会議名 |
: | 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 2002) |
開催年月 |
: | 2002/09 |
開催都市 |
: | Kobe |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：50.24 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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