電子線照射でテフロンを架橋

Radiation induced crosslinking of polytetrafluoroethylene by electron beam irradiation

テフロンの放射線照射による架橋について、架橋の方法及び架橋したテフロンの特性を解説した。テフロンは結晶融点(327 $^{circ}$ C)の直上の温度で電子線照射すると架橋し、それ以外の温度では分子鎖の切断が起こる。架橋テフロンは力学特性が向上し、特に、耐放射線性は数100倍に向上した。また、耐摩擦性も100倍以上に向上した。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	Isotope News
巻	:
号	:	521
ページ数	:	p.10 - 13
発行年月	:	1997/10
発表会議名	:
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開催国	:
キーワード	:	PTFE; Crosslinking; Radiation; Electron Beam; High Temperature

特許データ	:
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論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/10002586688
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登録番号 : A19970208
抄録集掲載番号 : 250912
論文投稿番号 : 15059

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