Enhancement in the ionization cross-section of a 350keV hydrogen beam on JT-60U plasmas

JT-60Uプラズマにおける350keV軽水素ビームのイオン化断面積の増倍

根本正博; 飛田健次; 牛草健吉; 草間義紀; 栗山正明; 児玉幸三; 正木圭; 逆井章; 鎌田裕

Nemoto, Masahiro; Tobita, Kenji; Ushigusa, Kenkichi; Kusama, Yoshinori; Kuriyama, Masaaki; not registered; Masaki, Kei; Sakasai, Akira; Kamada, Yutaka

イオン化断面積の増倍を、JT-60Uでの350keV軽水素中性粒子ビームの突き抜けを通じて研究した。用いた軽水素プラズマの電子密度は(1.0~4.1)10 $^{19}$ m $^{-3}$ 、実効電荷は1.3~2.2であった。1.010 $^{19}$ m $^{-3}$ 程度の低電子密度領域を除いて、突き抜けは単段階電離過程に基づいて予測された突き抜け予測値より小さくなった。この差分は多段階電離によって増倍したイオン化断面積によるものと推察された。増倍度は電子密度と共に上昇し、最大80%になった。その実験で得られた増倍は、Janevらが1989年に理論上で予測した値に一致する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	プラズマ・核融合学会誌
巻	:	73
号	:	12
ページ数	:	p.1374 - 1377
発行年月	:	1997/12
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
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キーワード	:	多段階電離; 単段階電離; 突き抜け; 中性粒子ビーム; JT-60U

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論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/110003826823
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登録番号 : A19970224
抄録集掲載番号 : 260231
論文投稿番号 : 15318

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