村松 久和*; 石井 寛子*; 田中 栄司*; 長 明彦 
; 小泉 光生 ; 関根 俊明; 三浦 太一*; 藤岡 學*
not registered; not registered; not registered; Osa, Akihiko; Koizumi, Mitsuo; Sekine, Toshiaki; not registered; not registered
電磁場による同位体分離器を用いて低エネルギーイオン注入を行うために、簡単な原理によるイオンの減速法を開発した。この方法では、質量分離されたイオンは滑らかに増加するポテンシャルに入射して減速させられる。ポテンシャルは高抵抗性の薄膜で覆ったセラミック製の筒に電流を流すことによって作られる。この方式の有効性を確認するため、20keVで質量分離された放射性
Xe
イオンを最大15keV減速してNi箔に注入した。Ni箔には銅が薄く蒸着されており、放射化学的に銅中の平均飛程を求めた。その結果は理論値と良く一致し、本方式の有効性が確認された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 134 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.126 - 135 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
キーワード |
: | Retardation; Ion Implantation; Isotope Separator; Mean Range; |
論文URL |
: |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：22.13 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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