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Mechanism of fragment ion desorption from adsorbed formic acid on Si(100) studied by ion-ion-coincidence method

イオン-イオン-コインシデンス法によるSi(100)上に吸着されたギ酸からのフラグメントイオン脱離反応の機構

関口 哲弘  ; 関口 広美*; 小尾 欣一*; 田中 健一郎*

Sekiguchi, Tetsuhiro; Sekiguchi, Hiromi*; not registered; Tanaka, Kenichiro*

本報告書は高エネルギー研究機構・放射光実験施設において研究課題番号94G-360に基づいて行われた研究の活動内容を報告したものである。本研究課題においては主に光イオン・光イオン・コインシデンス分光法を駆使して吸着分子の多価イオン化状態からの分解及び脱離反応の機構を調べた。ここでは特に吸着ギ酸分子(DCOO-)のイオン脱離について記載した。C$$^{+}$$-D$$^{+}$$とO$$^{+}$$-D$$^{+}$$のイオン対生成収量の励起エネルギー依存性を測定した結果、C$$^{+}$$-D$$^{+}$$は炭素内殻励起で生じ、O$$^{+}$$-D$$^{+}$$は酸素内殻励起で生じるという結果が得られた。また、これまでのいくつかの測定結果から、イオン対はいつも初期内殻励起された原子の脱離イオン種ともう一方の脱離イオン種との対として生じるという規則があることが見出された。これらのことは脱離が起こる時間内においてオージェ過程により生成した正孔が初期励起された原子近傍にかなり局在していることを示した。

no abstracts in English

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