Chemical tracks of heavy ions for 1,2,4,5-tetracyanobenzene anion radical formation

重イオン照射による1,2,4,5-テトラシアノベンゼンアニオンラジカル生成におけるケミカルトラック

Taguchi, Mitsumasa; Matsumoto, Yuichi*; Namba, Hideki; Aoki, Yasushi; Hiratsuka, Hiroshi*

1,2,4,5,-テトラシアノベンゼン(TCNB)をドープしたPVAフィルムに330MeV,Ar $^{11+}$ 及び220MeV,C $^{5+}$ イオンを照射したところ、340-480nmにTCNBアニオンラジカルに相当する吸収スペクトルが得られた。その生成量は両イオン照射において共に低フルエンス領域で増加、高フルエンス領域で減少することが分かった。1個のイオンによって引き起こされる領域をケミカルトラックとして、ラジカル生成量のフルエンス依存性をシミュレーションしたところ、Ar $^{11+}$ では50nm、C $^{5+}$ では20nmの半径を持つことが分かった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	134
号	:	3-4
ページ数	:	p.427 - 430
発行年月	:	1998/00
発表会議名	:
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キーワード	:	イオンビーム; LET効果; TCNB; 吸収; フルエンス依存性

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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0168-583X(97)01020-3
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InCites™	:	パーセンタイル：73.79 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : A19970360
抄録集掲載番号 : 260471
論文投稿番号 : 15496

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