The Mechanism of fragmentation and desorption pathways via multi-hole states of chemisorbates as studied by ion-ion-coincidence method

イオン-イオン-コインシデンス法による化学吸着種の多価イオン状態を経た分解及び脱離反応の機構

Sekiguchi, Tetsuhiro; Sekiguchi, Hiromi*; Tanaka, Kenichiro*

電子励起による固体表面からのイオン種の脱離過程は、二次イオン質量分析(SIMS)及び電子刺激脱離(ESD)などの表面分析における重要かつ基礎的な過程である。本研究は選択励起されたSi(100)表面上の吸着ギ酸分子(DC00-)の分解及び脱離課程を光イオン・光イオン・コインシデンス分光法により調べた。C $^{+}$ -D $^{+}$ コインシデンス収量の励起エネルギー依存性を詳細に測定し、敷居エネルギー等を決定した。C $^{+}$ -D $^{+}$ は炭素内殻励起で生じ、酸素内殻励起ではほとんど増加を示さない。また二電子イオン化(shake-off)の断面積が一電子イオン化(normal)に比較して10%以下であるにもかかわらず、C $^{+}$ -D $^{+}$ 収量はshake-off領域でnormal領域の2倍以上に増加した。このことから、脱離前駆体のイオン価数及び初期光励起における内殻ホールの位置がどの原子にあるか等がイオン脱離反応において重要であることが見い出された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Atomic Collision Research in Japan
巻	:
号	:	23
ページ数	:	p.84 - 85
発行年月	:	1997/00
発表会議名	:
開催年月	:
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開催国	:
キーワード	:	Si(シリコン); ギ酸; 二電子イオン化; コインシデンス分光法; 放射光; 内殻励起のスペクトロスコピー; 表面光化学反応; 光刺激脱離; 多価イオン

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登録番号 : A19980043
抄録集掲載番号 : 260658
論文投稿番号 : 15655

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