(C-D) states in NEXAFS spectra of condensed formic acid layers(C-D)電子状態Sekiguchi, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro; Tanaka, Kenichiro*
X線吸収端近傍微細構造(NEXAFS)スペクトルは分子の局所構造に敏感であることから吸着層、凝集層、ポリマー、及び薄膜など広く研究されている。本研究は特に単分子層表面と凝集層における分子環境の違いがどのようにスペクトルに影響するかをC-KVVオージェ電子収量(AEY)法による光吸収測定と光刺激イオン脱離収量(PSIDY)法により調べたものである。結果としてギ酸分子の炭素内殻吸収端で(C-D)共鳴ピークについて見るとAEY法によるピークエネルギーがD+のイオン収量ピーク値より高エネルギー側にシフトしていること等が明らかにされた。イオン収量法によるピークの方がより気相値に近いことからイオン収量スペクトルはより表面敏感で、電子収量スペクトルはバルク敏感であると解釈された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 7 |
号 |
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ページ数 |
: | p.499 - 500 |
発行年月 |
: | 1997/00 |
キーワード |
: | NEXAFS Spectroscopy; Photon Stimulated Desorption; Surface-specific States; Formic Acid; Silicon(Crystal) |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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