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Generation of interface traps and oxide-trapped charge in 6H-SiC metal-oxide-semiconductor transistors by $$gamma$$-ray irradiation

$$gamma$$線照射により6H-SiC金属-酸化物-半導体トランジスタ中に発生する界面準位と酸化膜中電荷

大島 武; 吉川 正人; 伊藤 久義; 青木 康; 梨山 勇

Oshima, Takeshi; Yoshikawa, Masahito; Ito, Hisayoshi; Aoki, Yasushi; Nashiyama, Isamu

高温(1200$$^{circ}$$C)でチッ素注入することで作製した、6H-SiCのnチャンネルエンハンスト型金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)へ、$$gamma$$線を照射し、ゲート酸化膜中に発生する界面準位と固定電荷を見積った。$$gamma$$線は室温で1MR/hで行い、ザブスレッシュホールド領域でのドレイン電流のゲート電圧依存性の変化より、界面準位及び固定電荷を見積った。その結果、70kGy照射後に発生した、界面準位は5$$times$$10$$^{11}$$/cm$$^{2}$$、固定電荷は3$$times$$10$$^{12}$$/cm$$^{2}$$であった。この値はSiでのMOSFETで報告されている値にくらべ、界面準位では数十分の一、固定電荷では3分の一程度であり、SiC MOSFETが優れた耐放射線性を示すことが明らかになった。

no abstracts in English

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2

巻

 :

37

号

 :

8B

ページ数

 :

p.L1002 - L1004

発行年月

 :

1998/08

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

6H-SiC; MOSFET; $$gamma$$線; 界面準位; 固定電荷

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.37.L1002

研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

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InCites™

 :

パーセンタイル：58.89

分野：Physics, Applied

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