X線回折顕微法による格子欠陥分布解析

Analysis of crystal defects distribution by X-ray diffraction topography

X線回折顕微法は、試料の内部を容易に観察でき、結晶方位のズレ、厚さの変化、微小欠陥の周辺の格子歪みの検出等が可能である。チョクラルスキ法Si、SiC膜、InP等の微小欠陥、転位の観察、双晶界と空孔や格子間原子との相互作用の観察や、加速器からの種々のイオンで照射したイオン結晶やSi単結晶の照射欠陥に関する観察例等、これまでにも多くの分野で利用されていることを紹介した。

no abstracts in English

発表言語	:	Japanese
掲載資料名	:	放射線利用技術試験研究データベース(インターネット)
巻	:
号	:
ページ数	:	4 Pages
発行年月	:	1998/10
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	X線回折トポグラフィ; シリコン; インジウム燐; イオン結晶; イオン照射; 照射損傷; 動力学的回折

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	http://www.rada.or.jp/database/home4/normal/ht-docs/member/synopsis/040158.html
研究データの公開先DOI	:	本成果にかかわる研究データのリンクです。
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説 (JAEA R&D Navigator)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : A19980445
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.