prepared by reactive pulsed laser depositionの構造と電気特性の評価Dai, Z.*; 宮下 敦巳; 山本 春也; 鳴海 一雅; 楢本 洋
Dai, Z.*; Miyashita, Atsumi; Yamamoto, Shunya; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi
窒素ガスふん囲気のもとでV金属を蒸発させることにより、サファイア基板上にVN薄膜を合成し、結晶性及び化学量論比を、AES,XRD,RBS/チャネリング法により評価した。その結果、ほとんど化学量論比に近いVN
層がサファイア(0001)基板と一軸に沿って整合した形で(双晶を形成)成長する条件を見いだした。電気特性に関しては、抵抗比(10Kと300K)が1.4~3となり、少し低い値となっているが、これは双晶構造を反映したものと考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 11 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.733 - 740 |
発行年月 |
: | 1999/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：16.49 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
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