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Generation and termination of runaway electrons at major disruptions in JT-60U

JT-60Uでの主ディスラプションにおける逃走電子の発生と消滅

芳野 隆治; 徳田 伸二; 河野 康則

Yoshino, Ryuji; Tokuda, Shinji; Kawano, Yasunori

JT-60Uでの主ディスラプションにおいて、逃走電子の発生を回避する運転条件について調べた。その結果、トロイダル磁場が2.2T以下、又は、プラズマ電流の消滅率I$$_{gamma}$$($$equiv$$-(dI$$_{p}$$/dt)/I$$_{p}$$)が50sec$$^{-1}$$以下の場合は、逃走電子が発生しないことがわかった。さらにI$$_{gamma}$$が300~400sec$$^{-1}$$と高い場合でも実効的安全係数q$$_{eff}$$が2.5以下では、逃走電子が発生しないことがわかった。一方、プラズマの位置移動が少なくなるように制御した場合は、q$$_{eff}$$が8より容易に高くなり、I$$_{gamma}$$が50~100sec$$^{-1}$$と低くても逃走電子が発生することがわかった。加えて、このように位置制御した場合に、一周電圧が零又は少し正でも逃走電子のテイルが低減することがわかった。これらの逃走電子の回避・消滅の結果は、逃走電子に異常損失の機構があることを示唆する。

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分野:Physics, Fluids & Plasmas

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