Zhidkov, A.*; Sasaki, Akira; Tajima, Toshiki*
p偏光、強度10
~10
W/cm
、パルス幅1psの斜め入射短パルスレーザーで薄膜ターゲットを照射する方式に基づく、高エネルギーイオン(1MeV以上)が効果的に発生される条件を新たに明らかにした。衝突過程をランジュバン方程式で考慮し、原子過程を組みこんだPICコードで解析を行い、プラズマのスケール長が
/10程度になることでレーザー光が効率的に共鳴吸収で吸収され多量の高速電子を生成すること、これによってプラズマの膨張が駆動されるとともに、表面に電荷分離による強い静電場が生じることを明らかにした。さらに電子衝突電離によって多価電離状態となった媒質イオンが1MeVを超えるエネルギーまで加速されること、入射レーザー光の高エネルギーイオンへのエネルギー変換効率が10%に及ぶことを明らかにした。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 61 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.R2224 - R2227 |
発行年月 |
: | 2000/03 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：83.29 分野：Physics, Fluids & Plasmas |
Altmetrics |
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