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Characterization of epitaxially grown Cu/Nb multilayer on $$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ with RBS/channeling technique

RBS/チャネリング法によるエピタキシャルCu/Nb多層膜の構造解析

山本 春也; 楢本 洋; 土屋 文*; 鳴海 一雅; 青木 康*

Yamamoto, Shunya; Naramoto, Hiroshi; Tsuchiya, Bun*; Narumi, Kazumasa; Aoki, Yasushi*

本研究では、超高真空蒸着法により$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$基板上にCu/Nb多層膜の作製を行い、各層がヘテロエピタキシャル成長する蒸着条件について考察を行った。基板と蒸着膜との結晶方位関係及び膜の結晶性は、ラザフォード後方散乱(RBS)/チャネリング法とX線回折法により評価した。蒸着法の基板温度及び蒸着速度をパラメータとして蒸着膜の結晶性を調べた結果、$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$基板上にNbをエピタキシャル成長させるためには、基板温度を750$$^{circ}$$C以上に保持する必要があり、$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$基板の結晶面方位を変えることにより、Nb(100),Nb(001),Nb(111),Nb(211)面上のエピタキシャル膜を得ることができた。さらにNb(110)面上にCu(111)面をヘテロエピタキシャル成長させるためには基板温度を200$$^{circ}$$Cに、Cu(111)面上にNb(110)面の場合は500$$^{circ}$$C以上に保持することにより、結晶性の高いエピタキシャル膜でCu/Nb多層膜が作製できることがわかった。

no abstracts in English

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Thin Solid Films

巻

 :

335

号

 :

1-2

ページ数

 :

p.85 - 89

発行年月

 :

1998/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

多層膜; イオンビーム分析法; エピタキシャル

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00948-1

研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：49.39

分野：Materials Science, Multidisciplinary

Altmetrics

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