Semiconductor-metal phase transition in VO $_{2}$ films synthesized on -Al $_{2}$ O $_{3}$ by oxygen-reactive deposition using a neodymium-doped yttrium aluminium garnet laser

YAG:Ndレーザーを用いた酸素反応性条件下で-Al $_{2}$ O $_{3}$ 上に合成したVO $_{2}$ 薄膜の半導体・金属相転移

P.Zhu*; Yamamoto, Shunya; Miyashita, Atsumi; Wu, Z.*; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi

今までのVO $_{2}$ 薄膜の合成法のうち、レーザー・アブレーション法には、おもにエキシマー・レーザーが用いられてきた。本研究では、可視光(YAG)レーザーを用い、酸素分圧を精密に調整することにより、結晶性及び相転移特性に秀れた薄膜の合成に成功した。X線回折及びイオン散乱実験から、サファイアとの結晶学的整合性に関する一連の結果を証明した。さらに、均質な双晶構造が、再現性の良い相転移特性を示すことにも言及した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Philos. Mag. Lett.
巻	:	79
号	:	8
ページ数	:	p.603 - 608
発行年月	:	1999/00
発表会議名	:
開催年月	:
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開催国	:
キーワード	:	Phase Transition; VO $_{2}$ ; Thin Film; Laser Ablation

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論文URL	:	https://doi.org/10.1080/095008399176986
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登録番号 : A19990132
抄録集掲載番号 : 271312
論文投稿番号 : 17047

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Semiconductor-metal phase transition in VO films synthesized on -AlO by oxygen-reactive deposition using a neodymium-doped yttrium aluminium garnet laser

YAG:Ndレーザーを用いた酸素反応性条件下で-AlO上に合成したVO薄膜の半導体・金属相転移

Semiconductor-metal phase transition in VO $_{2}$ films synthesized on -Al $_{2}$ O $_{3}$ by oxygen-reactive deposition using a neodymium-doped yttrium aluminium garnet laser

YAG:Ndレーザーを用いた酸素反応性条件下で-Al $_{2}$ O $_{3}$ 上に合成したVO $_{2}$ 薄膜の半導体・金属相転移