Beamline performance of 500 keV negative ion-based NBI system for JT-60U

JT-60用500keV負イオンNBIのビームライン性能

Ito, Takao; not registered

JT-60高密度プラズマにおける電流駆動実験及び中心加熱実験のため500keV負イオンNBI装置を1996年4月に完成した。それ以来、負イオンNBIの入射実験を行ってきた。その入射実験で重要な課題の1つは、残留イオンビーム用偏向磁場の制御方法である。JT-60N-NBIにおいて、残留イオンの偏向にJT-60からの漏洩磁場を積極的に使っている。即ち、残留イオンビームによるビームダンプ表面の熱負荷の位置が一定となるようにJT-60からの漏洩磁場と偏向コイルの磁場との組合わせを制御する。イオンダンプ上の正及び負イオンビームによる熱負荷分布はイオンダンプ表面上に銀ロー付けした熱電対で測定する。ここでは、偏向磁場の性能及びイオンビーム熱負荷について、入射実験結果を報告する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Fusion Engineering and Design
巻	:	39-40
号	:
ページ数	:	p.123 - 128
発行年月	:	1998/00
発表会議名	:	4th International Symposium on Fusion Nuclear Technology (ISFNT-4)
開催年月	:	1997/04
開催都市	:	Tokyo
開催国	:	Japan
キーワード	:	JT-60高密度プラズマ; 500keV負イオンNBI装置; 入射実験; 残留イオンビーム; 偏向磁場; 漏洩磁場; 偏向コイル; イオンダンプ; 熱負荷分布; 熱電対

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0920-3796(97)00185-3
研究データの公開先DOI	:
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：38.68 分野：Nuclear Science & Technology
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登録番号 : B19970014
抄録集掲載番号 : 270032
論文投稿番号 : 16008

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