D.Cha*; 伊藤 久義; 森下 憲雄; 河裾 厚男; 大島 武; 渡辺 祐平; J.Ko*; K.Lee*; 梨山 勇
D.Cha*; Ito, Hisayoshi; Morishita, Norio; Kawasuso, Atsuo; Oshima, Takeshi; not registered; J.Ko*; K.Lee*; Nashiyama, Isamu
六方晶シリコンカーバイド(6H-SiC)の照射欠陥を調べるために、P型6H-SiCへ3MeV電子線を1
10
e/cm
照射した。欠陥に関する情報を得るために4K~室温の電子スピン共鳴測定を行った。測定の結果PA、PB、PC、PD及びPEの照射欠陥に起因する5つのシグナルを観測した。PA、PBについては、4K~室温の広い範囲で、PCは4K~20K、PDとPEは~10Kで観測された。それらのシグナルの磁場vs試料の角度依存性を調べたところ、PAシグナルはシリコンの単一空孔に由来するシグナルであることが分かった。またPB~PEのシグナルは他のn型6H-SiCや3C-SiCの照射欠陥では見られないシグナルであり、P型特有のものであることがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 264-268 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.615 - 618 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | Int. Conf. on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials-1997 |
開催年月 |
: | 1997/09 |
開催都市 |
: | Sweden |
開催国 |
: | |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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