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Impurity control in liquid lithium loop for IFMIF target facility

IFMIFターゲット系Liループにおける不純物濃度制御

加藤 義夫; 勝田 博司; 小西 哲之; 生越 満*; T.Hua*; L.Green*; S.Cevolani*

not registered; Katsuta, Hiroji; Konishi, Satoshi; not registered; T.Hua*; L.Green*; S.Cevolani*

IFMIFのターゲット系においては金属Liジェット流に最大40MeV、250mAの重陽子ビームを照射して14MeVの中性子を発生させる。ターゲット系では、この時Li中で発生する約10MWの除熱とともにd$$^{+}$$-Li核反応生成物として生成するT、7Be、(T$$_{1/2}$$: 53d、decay $$gamma$$: 0.48MeV)のほかO、N等の濃度制御を行って安全を確保しなければならない。T、Be、Oはコールドトラップで制御可能であり、循環Li中のTは約3g以下に維持する。Be、Oはともに約30appm以下に制御可能である。Li初装荷時や機器交換時に混入するNはチタンゲッターホットトラップにより約30ppm以下に制御する予定である。なおTの濃度制御にはコールドトラップのほか、イットリウムゲッターホットトラップも検討しており、いずれを採用するかは今後の実験も含めた評価により決定する。

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パーセンタイル:60.39

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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