Nees, J.*; G.Mourou*; Biswal, S.*; J.Itatani*; A.C.Tien*; J.C.Chanteloup*; 西村 昭彦 
; 宅間 宏*
Nees, J.*; G.Mourou*; Biswal, S.*; J.Itatani*; A.C.Tien*; J.C.Chanteloup*; Nishimura, Akihiko; not registered
1985年にレーザー媒質を破壊すること無く超高出力を得るCPA法が開発されて以来、超高出力レーザーの発展は著しく、現在、数TWから数十TWのシステムが世界各地で稼動するに至っている。今後、X線レーザーやレーザー加速
線発生などの超高強度光物理学の展開のためには、PW級の出力を微小領域に集光し、10
w/cm
以上の光電場を発生させる必要がある。このためのCPAレーザーシステムは、現在のチタンサファイアに代わりイッテルビウムガラスをレーザー媒質に用いた小型高出力を特徴とし、将来的に半導体レーザー直接励起が可能なシステムが適している。現時点では半導体レーザーに代わり高エネルギーを得易いフラッシュランプ励起のフリーランニングレーザーを励起光源とすることで効率的な開発が可能である。講演では次世代CPAレーザー像について述べる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | 4 Pages |
発行年月 |
: | 1997/00 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 1997/08 |
開催都市 |
: | America |
開催国 |
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キーワード |
: | CPA; High Peak Power; Ultra Short; Glass Laser; Ytterbium; High Field |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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