検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

Characterization of defects in electron irradiated 6H-SiC by positron lifetime and electron spin resonance

陽電子寿命と電子スピン共鳴による電子線照射した6H-SiC中の欠陥のキャラクタリゼーション

河裾 厚男; 伊藤 久義; 岡田 漱平; D.Cha*

Kawasuso, Atsuo; Ito, Hisayoshi; Okada, Sohei; D.Cha*

3MeV電子線照射によって6H-SiC中に生ずる欠陥の性質を陽電子寿命と電子スピン共鳴により研究した。陽電子寿命測定から、照射により空孔型欠陥が生成していることが見出された。一方、三種類の電子スピン共鳴吸収スペクトルが観測された。陽電子寿命と電子スピン共鳴のアニール特性を比較することにより、観測された電子スピン共鳴スペクトルが空孔型欠陥に起因していることが明らかになった。欠陥の構造モデルとアニール機構について可能な説明を加える。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.