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Emission of silicon clusters by high-density excitation

分子イオンを用いた高密度励起法によるSi$$_{n+}$$クラスターイオン放出

山本 博之; 馬場 祐治  

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji

数mA/cm$$^{2}$$以上の電流密度のイオンが表面に衝突した場合、励起された原子の一部はクラスターとして表面を離脱する。本研究では、1$$mu$$A/cm$$^{2}$$程度の電流密度においてSF$$_{5+}$$等の分子イオンをSi(100)に照射し、Si$$_{n+}$$(n≦8)クラスターを得た。これに対しXe$$^{+}$$等の単原子イオン照射では、顕著なクラスター生成は認められない。これらの結果から、分子イオン照射においてはイオンの径に応じた極めて高密度の励起領域が表面に形成されるためにクラスターの生成が促進されるものと考えられる。さらに、得られたクラスターイオンの運動エネルギー分布から、分子イオン照射に伴うSi$$_{n+}$$クラスターの脱離過程について検討した結果、Si原子はいったん個々の単原子として表面を離脱した後、再結合-分解の過程を経て観測されることが示唆された。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Surface Science

巻

 :

433-435

号

 :

ページ数

 :

p.890 - 895

発行年月

 :

1999/00

発表会議名

 :

10th Int. Conf. on Solid Surfaces (ICSS-10)

開催年月

 :

1998/08

開催都市

 :

England

開催国

 :

キーワード

 :

クラスター; 分子イオン; 高密度励起; ケイ素; 運動エネルギー分布; 脱離過程

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(99)00471-9

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：28.64

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

 :

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