検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

Growth of carbon thin film by low-energy mass-selected ion beam deposition

質量分離した低エネルギーイオンの蒸着による炭素薄膜の生成

大野 秀樹*; J.A.van-den-Berg*; 永井 士郎; D.G.Armour*

not registered; J.A.van-den-Berg*; Nagai, Shiro; D.G.Armour*

XPSを搭載した低エネルギーイオンビーム蒸着装置を用いて、Si(100)基板への$$^{12}$$C$$^{+}$$イオンの蒸着を行った。イオンエネルギーは10eV~150eV、基板温度はRT~200$$^{circ}$$Cとし、厚さ約100nmの薄膜を作製した。XPSその場測定のほか、生成した薄膜をラマン分光及びX線回折で分析した。C$$^{+}$$のイオンエネルギー80~120eV、基板温度25$$^{circ}$$C及び100$$^{circ}$$Cで90%のグラファイトと10%のダイヤモンドからなる薄膜が得られ、上記以外のエネルギーではダイヤモンドは生成せず、ダイヤモンド様炭素とグラファイトの薄膜が得られることがわかった。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

パーセンタイル:86.44

分野:Instruments & Instrumentation

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.