-ray irradiation effects on 6H-SiC MOSFET線照射効果大島 武; 吉川 正人; 伊藤 久義; 青木 康; 梨山 勇
Oshima, Takeshi; Yoshikawa, Masahito; Ito, Hisayoshi; Aoki, Yasushi; Nashiyama, Isamu
シリコンカーバイド(SiC)デバイスの線照射効果を調べるために6H-SiCを用いて金属-酸化膜-半導体電界効果型トランジスタ(MOSFET)を作製した。作製したMOSFETへ線照射を行い、ゲート酸化膜中に発生する固定電荷と界面準位の量を、サブスレッショールド領域の電流-電圧特性の変化から見積もった。特に今回は、水素燃焼酸化とドライ酸化の2つの方法によりゲート酸化膜を作製することで、酸化膜の作製方法と固定電荷、界面準位の発生量の関係を調べた。その結果、固定電荷については酸化膜作製方法の違いによる差はみられなかったが、界面準位に関しては、水素燃焼酸化により作製したMOSFETの方が、ドライ酸化により作製したものより発生量が少なく耐放射線性に優れていることがわかった。
no abstracts in English
発表言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 61-62 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.480 - 484 |
発行年月 |
: | 1999/00 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1998/09 |
開催都市 |
: | France |
開催国 |
: | |
キーワード |
: |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
論文解説 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
InCites™ |
: |
パーセンタイル：74.12 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
