油谷 崇志*; 久松 正*; 松田 純夫*; 大島 武; 梨山 勇
not registered; not registered; Matsuda, Sumio*; Oshima, Takeshi; Nashiyama, Isamu
地上用の太陽電池の耐放射線性を宇宙で試験するための、MDS-1計画の地上試験として、ポリシリコン、GaAs/InGaP,CuInSe,n-type基板Si太陽電池(いずれも地上用として設計)の耐放射線性を調べた。照射は1MeVの電子線、3MeV及び10MeVの陽子線を用いた。ポリシリコンとn-type Si太陽電池は基板の不純物濃度に依存して若干耐放射線性が異るが、いずれもほぼ同程度の劣化であった。GaAs/InGaP太陽電池は宇宙用GaAsに比べ短絡電流の劣化が大きいことが分かった。CuInSeは1
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照射しても特性は劣化せず、優れた耐放射線性を示すことが分かった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.63 - 68 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | 3rd International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application |
開催年月 |
: | 1998/10 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | 地上用太陽電池; ポリシリコン; GaAs-InGaP; CuInSe; n-type基板Si; 陽子線; 電子線 |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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