Formation condition of internal transport barrier in JT-60U plasmas

JT-60Uにおける内部輸送障壁の発生条件

小出 芳彦; 藤田 隆明; 滝塚 知典; 白井 浩; 波多江 仰紀; 諫山 明彦; 伊世井 宣明; 坂本 宜照; 鎌田 裕; 菊池 満; JT-60チーム

Koide, Yoshihiko; Fujita, Takaaki; Takizuka, Tomonori; Shirai, Hiroshi; Hatae, Takaki; Isayama, Akihiko; Isei, Nobuaki; Sakamoto, Yoshiteru; Kamada, Yutaka; Kikuchi, Mitsuru; JT-60 Team

負磁気シア放電における内部輸送障壁は電子系熱拡散係数の低減を伴うが、その発生条件を系統的なパラメータスキャンで調べた。その結果、磁気シアの値sと発生位置のすぐ内側における電子温度勾配dTe/drとの間に明確な相関が認められた。このs-dTe/dr平面上で遷移直前のデータの時間的動きに着目すると、一部のデータが他と異なる方向に動いている。このことはsとdTe/drの他にも遷移に関るパラメータが存在することを示唆しているので今後検討を進める。もう一つの話題として、q値が最小となる位置より外側、即ち正磁気シアの位置に内部輸送障壁が発生する現象を発見した。この場合の発生条件は前述の負磁気シアのs-dTe/drの関係と連続的につながった。この結果は、正磁気シアの領域では内部輸送障壁を発生するには、負磁気シアと比較して、より大きなdTe/drを要することを示唆している。

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