Low-temperature epitaxial growth of SrO on hydrogen-passivated Si(100) surface

水素終端Si(100)面上への低温エピタキシャル成長

Asaoka, Hidehito; Saiki, Koichiro*; Koma, Atsushi*; Yamamoto, Hiroyuki

Si21基板上へのSrO薄膜作製のためにさまざまな試みがなされているが、Si(100)面上へのSrOのエピタキシャル成長は困難であり、得られる薄膜の結晶性、界面上のSiO $_{2}$ 等の存在が問題とされている。そこで水素終端したSi(100)基板を用いたSrOのエピタキシャル成長の可能性を探るとともに、RHEED,AES,ESCA等によるSi界面、SrO薄膜の評価を行った。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Physica B; Condensed Matter
巻	:	284-288
号	:
ページ数	:	p.2101 - 2102
発行年月	:	2000/07
発表会議名	:	22nd International Conference on Low Temperature Physics (LT-22)
開催年月	:	1999/08
開催都市	:	Helsinki
開催国	:	Finland
キーワード	:	単結晶; 結晶成長; エピタキシャル成長; Si; SrO; 水素終端

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0921-4526(99)02986-5
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：0 分野：Physics, Condensed Matter
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登録番号 : B19990172
抄録集掲載番号 : 280530
論文投稿番号 : 17500

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