相原 純 
; 北條 喜一; 古野 茂実; 石原 正博 ; 林 君夫
Aihara, Jun; Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi; Ishihara, Masahiro; Hayashi, Kimio
SiCは高温用・耐放射線用構造材料及び半導体として期待される材料である。照射下での使用が考えられることから照射下の挙動及び焼鈍による回復に関する基礎的研究は重要である。本研究では、透過型電子顕微鏡観察下で
-SiCへのイオン照射及び照射後焼鈍を行いその場観察をした。照射種としては窒素イオン及び不活性ガスのネオンイオンを用いた。イオンのエネルギーとフラックスは窒素照射とネオン照射とで同じようなdpa深さ分布、dpa速度になるように設定した。ネオン照射では、焼鈍による回復挙動の照射量依存性ははっきりと確認できなかった。それに対し窒素照射では照射量が少ないと800~900
Cで非晶質化した部分に回復がみられたが、照射量が多いと1000Cまでの焼鈍では回復が観察されなかった。これは、窒素の何らかの化学的効果によるものと思われる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 166-167 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.379 - 384 |
発行年月 |
: | 2000/05 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1999/07 |
開催都市 |
: | Germany |
開催国 |
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キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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パーセンタイル：50.62 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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