Production of Ce negative ions by Cs sputter ion source

セシウムスパッタイオン源によるセリウム負イオンの生成

Saito, Yuichi; Yotsombat, B.*; Mizuhashi, Kiyoshi; Tajima, Satoshi

Csスパッタ負イオン源を用いて安定に酸化セリウムを生成することに成功した。セリウムを含むランタノイド系元素は蒸気圧が低く仕事関数が小さいため、Cs1次イオンを生成するアイオナイザーに付着し、そのイオン化性能を低下させる。われわれはスパッタカソードを2重構造にすることでこれを解決した。カソードに酸化セリウムを詰め、その上をタングステンで覆いそこに2mm程の穴をあけた。これにより、スパッタされるセリウムの立体角が小さくなり、アイオナイザーへの付着が少なくなった。また、タングステンによりアイオナイザー(タングステン製)の修復も同時に行われる。これにより200mA以上の負イオン電流が安定に得られた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Review of Scientific Instruments
巻	:	71
号	:	2
ページ数	:	p.955 - 957
発行年月	:	2000/02
発表会議名	:	8th International Conference on Ion Sources (ICIS '99)
開催年月	:	1999/09
開催都市	:	Kyoto
開催国	:	Japan
キーワード	:	負イオン源; スパッター; セシウム; セリウム; ランタノイド系

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.1150356
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InCites™	:	パーセンタイル：52.82 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B19990546
抄録集掲載番号 : 280260
論文投稿番号 : 17267

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