• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

単結晶CuInSe$$_{2}$$薄膜の電子線照射欠陥の評価

Investigation of electron irradiation induced defects in single crystal CuInSe$$_{2}$$ thin films

藤田 尚樹*; Lee, H.-S.*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義

Fujita, Naoki*; Lee, H.-S.*; Okada, Hiroshi*; Wakahara, Akihiro*; Yoshida, Akira*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

CuInSe$$_{2}$$の耐放射線性の知見を得るため、電子線による照射損傷効果を調べた。高周波スパッタ法を用いてGaAs基板上に作製した単結晶CuInSe$$_{2}$$薄膜へ、室温で2MeV及び3MeV電子線を照射した。Hall測定よりキャリア濃度を調べたところ、1$$times$$10$$^{17}$$/cm$$^{2}$$以上の照射によりキャリア濃度が減少することが明らかになり、キャリア減少率を見積もったところ1cm$$^{-1}$$であった。またDLTS法により欠陥準位に関して調べたところ、照射後に未照射では観測されない深い準位が発生することがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

信学技報

巻

 :

102

号

 :

77

ページ数

 :

p.79 - 84

発行年月

 :

2002/05

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

CuInSe$$_{2}$$; 電子線照射; キャリア濃度減少; DLTS

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

http://ci.nii.ac.jp/naid/110003175318

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る