Si high-resolution nuclear magnetic resonance spectroscopySi核磁気共鳴法によるポリカルボシラン繊維の電子線硬化機構の研究多木 敏彦*; 岡村 清人*; 佐藤 光彦*; 瀬口 忠男; 河西 俊一
not registered; Okamura, K.*; not registered; Seguchi, Tadao; Kawanishi, Shunichi
炭化ケイ素繊維の前駆体であるポリカルボシランの電子線照射によって引き起こされる架橋構造を固体Si高分解能NMR測定によって検討した。電子線照射したポリカルボシランのSiNMR信号は2本の共鳴線から成り、それらは-0.5ppmがSiC
、-17.5ppmSiC
Hによるものと同定できた。このSiC/SiCHの信号強度比は照射量とともに単調に減少することがわかった。また、熱酸化法で架橋したときに観察された9.7ppmのSi-O-Siによる信号は観測されなかった。このことから電子線照射によるポリカルボシランの架橋では、酸素原子が導入されないこと、およびSi-Siの架橋が起こらずもっぱらSi-C結合が生じることがわかった。
no abstracts in English
発表言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 7 |
号 |
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ページ数 |
: | p.209 - 211 |
発行年月 |
: | 1988/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：74.65 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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